All’International Solid-State Circuits Conference del 2012 Samsung presenterà PRAM (Phase-change Random-Access-Memory) ad alte prestazioni in grado di offrire velocità molto più elevate delle memorie NAND oltre a garantire maggiore affidabilità. Non è facile prevedere quando potremo vedere questi chip all’interno di memorie USB o unità SSD a causa di alcuni problemi da superare.
Da anni si parla delle potenzialità della PRAM (Phase-change Random-Access-Memory), una memoria non volatile ad alte prestazioni che sfrutta il principio del cambiamento di fase per non perdere quanto memorizzato in assenza di alimentazione e che potrebbe sostituire le memorie NAND, quelle usate dai principali prodotti per la memorizzazione di dati come smartphone, chiavette USB, offrendo molti vantaggi: maggiore velocità, scalabilità ma anche durata nel tempo molto maggiore. Samsung ha ora annunciato di essere riuscita a produrre un chip PRAM da 1GB con tecnologia a 22 nanometri: dieci volte la capacità di chip simili che in precedenza erano stati realizzati con tecnologie costruttive a 58 nanometri. I primi esemplari di queste memorie saranno presentati all’International Solid-State Circuits Conference del 2012.
Non è facile prevedere quando potremo vedere questi chip all’interno di prodotti commerciali: vi sono ancora problemi da superare come la necessità di riscaldare il materiale cristallino utilizzato per cambiare la fase in modo reversibile e tenere sotto controllo temperature critiche alle quali potrebbero essere sottoposte le celle adiacenti.
La maggiore velocità delle memorie PRAM è possibile anche grazie al fatto che è possibile riscrivere i dati, senza prima cancellare quanto in precedenza presente nelle celle. L’accesso alla PRAM è fino a 30 volte più veloce delle memorie convenzionali, mentre la durata è almeno 10 volte maggiore rispetto alle flash memory.
http://www.macitynet.it
Da anni si parla delle potenzialità della PRAM (Phase-change Random-Access-Memory), una memoria non volatile ad alte prestazioni che sfrutta il principio del cambiamento di fase per non perdere quanto memorizzato in assenza di alimentazione e che potrebbe sostituire le memorie NAND, quelle usate dai principali prodotti per la memorizzazione di dati come smartphone, chiavette USB, offrendo molti vantaggi: maggiore velocità, scalabilità ma anche durata nel tempo molto maggiore. Samsung ha ora annunciato di essere riuscita a produrre un chip PRAM da 1GB con tecnologia a 22 nanometri: dieci volte la capacità di chip simili che in precedenza erano stati realizzati con tecnologie costruttive a 58 nanometri. I primi esemplari di queste memorie saranno presentati all’International Solid-State Circuits Conference del 2012.
Non è facile prevedere quando potremo vedere questi chip all’interno di prodotti commerciali: vi sono ancora problemi da superare come la necessità di riscaldare il materiale cristallino utilizzato per cambiare la fase in modo reversibile e tenere sotto controllo temperature critiche alle quali potrebbero essere sottoposte le celle adiacenti.
La maggiore velocità delle memorie PRAM è possibile anche grazie al fatto che è possibile riscrivere i dati, senza prima cancellare quanto in precedenza presente nelle celle. L’accesso alla PRAM è fino a 30 volte più veloce delle memorie convenzionali, mentre la durata è almeno 10 volte maggiore rispetto alle flash memory.
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